背照式CCD光譜儀技術(shù),廣泛應(yīng)用于冶金、鑄造、機械、汽車制造、航空航天、兵器、金屬加工等領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝控制，爐前化驗，中心實驗室成品檢驗。

　　

　　CCD，是英文ChargeCoupledDevice即電荷耦合器件的縮寫，背照式CCD光譜儀是在MOS晶體管電荷存儲器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，突出的特點是以電荷作為信號，而不是以電流或電壓作為信號的。在P型或N型硅單晶的襯底上生長一層厚度約為120~150nm的SiO2層，然后按一定次序沉積m行n列個金屬電極或多晶硅電極作為柵極，柵極間隙約2.5μm，于是每個電極與其下方的SiO2和半導(dǎo)體間構(gòu)成了一個MOS結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)再加上輸入、輸出結(jié)構(gòu)就構(gòu)成了m×n位CCD（m＞1，n≥1）；當(dāng)n=1時，CCD器件被稱為線陣CCD；當(dāng)n＞1時,則為面陣CCD。CCD按受光方式分為前感光和背感光兩種。前感光CCD由于正面布置著很多電極，光經(jīng)電極反射和散射，不僅使得響應(yīng)度大大減低（量子效率通常低于50%），也因為多次反射產(chǎn)品的干涉效應(yīng)使光譜響應(yīng)曲線出現(xiàn)馬鞍形的起伏；背感光CCD由于避免了上述問題，因而響應(yīng)度大大提高，量子效率可達(dá)到80%以上。